SJ 50033.106-1996 半导体分立器件CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范
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1A10DFC269734B7F95E19305C773007D |
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0.65 |
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10 |
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日期： |
2024-7-28 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/106-96,半导体分立器件,CS203型碑化镂微波低噪声场,效应晶体管详细规范,semiconductor discrete device,Detail specification for type CS203 GaAs microwave,Low noise field effect transistor,1996-08-30 发布1997-01-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS203型珅化像微波低噪声场效应晶体管,详细规范,SJ 50033/106-96,Semiconductor discrete device,Detail specification for type CS203 GaAs microwave,low noise field effect transistor,范為,1.1主题内容,本规范规定了 CS 203型碑化像微波低噪声场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33—85《半导体分立器件总规范》L 3条的规定,提供的质量保证等级为普军级、特,军级和超特军级。分别用字母GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586—84 场效应晶体管测试方法,GJB 33—85,GJB 128—86,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和镀层,引出端材料为可伐,引出端表面镀金,3.2.2 器件结构,肖特基势垒平面结构,金属陶瓷微带管壳封装,中华人民共和国电子工业部!996-08-30发布1997-01-01 实施,SJ 50033/106-96,3.2.3外形尺寸,外形尺寸见图!o,符 号ムh b % み2 h $,最小值7.0 7.0 1.6 0.3 0.6 1.0 0.05,最大值2.0 0.7 1.0 1.4 0.2,图1外形图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,型 号Ta 二 25匕,nW,Vds,V,Vgs,V,Id,mA,.,r,T应,V,CS203 75 5 -4 【dss 175 - 65.175,注:1）丁ん＞25じ时按0.5mW/匕线性降额,3.3.2 主要电特性（Ta = 25匕）,2,ww. bzfxw. com下载,SJ 50033/106-96,电测试应符合GB 4586及本规范的规定,3.5标志,器件极性标志按图1识别,器件包装盒上的标志应符合GJB 33的规定,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验按GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验按GJB 33和本规范的规定,4.3 筛选（仅ヌ寸GT和GCT级）,筛选应按GJB 33和表2和本规范的规定,其测试应按本规范表1的规定进行,超过本规,范表1极限值的器件应予剔除,筛 选,见GJB33表2,试验方法,GJB 128方法,测试和试验,2高温寿命,3热冲击,7中间测试,电老练,9最后测试,1032,1051,1038,200匕,72小时,- 65~ 150匕,20 次,测Idss、匕率碗）及【GDO,rA = 150*0 , Vds = 5V, ID = 10mA, 8h,按本规范表1的A2分组;,△Idss=初始值的±20%;,△匕双所=初始值的±20%,或0.5V,取大者,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定,4.4.1 A组检验,3,SJ 50033/106-96,A组检验应按GJB 33和本规范表1的规定,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法按本规范相应的表和下列规定,4.5.1 测试方法,直流参数测试按GB 4586相应方法或用晶体管图示仪测试,微波参数测试按本规范附录,A的规定方法,表1 A组检验,试验或检验,GB 4586,方法,LTPD 符号,最小最大,单位,A1分组,外观及机械检査,GJB 12,2071,条 件,5,极限值,A2分组5,漏极电流,跨导,柵漏截止电流,A3分组,髙温工作,栅漏截止电流,低温工作,漏极电流,变化率,A4分组,噪声系数,CS 203A,CS 203 B,CS 203C,CS 2030,10,本规范,附录A,Vds=3V.,VGS = ov,Vds=3V,1d = 100rA,Vds=3V,VGS = 0- -0.5V,VGD= - 4.5V,TA =125X3,VG0= -4.5V,Ta= -55X3,Vds = 3V,Vgs = OV,Vos=3V,廿0.15.,〇C/dss,f~ 6 GHz,DSS 25,-0.5,10,GDOtl),%do(2),△【DSS,】DSS,100 mA,ms,20,200,30,dB,2.5,1.5,2.0,1.2,棚f源截止电压,3,5,2,2,3,5,5,^GStaff) V,pA,%,F,相关增益G& dB,CS 203A>CS 203B,CS 203C.CS 203D,10,12,4,SJ 50033/106-96,表2 B组检验,检验或试验GJB……
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